　　在晶振性能影響因素中負(fù)電阻尤其關(guān)鍵,應(yīng)如何對(duì)其測(cè)量?
　　對(duì)石英晶振的性能來(lái)說(shuō),影響因素有很多,其中包括產(chǎn)品本身的固有屬性等,比如制造材料;當(dāng)然也受外界環(huán)境因素的影響,比如溫度,機(jī)械振動(dòng)等等;并且振蕩電路的設(shè)計(jì)也會(huì)存在影響;負(fù)電阻的值是振蕩電路設(shè)計(jì)時(shí)選取并且設(shè)計(jì)的,如果設(shè)計(jì)得當(dāng)會(huì)提升晶振產(chǎn)品的性能,反之效果則相反;那么我們應(yīng)該怎樣測(cè)量它呢?
　　負(fù)電阻是電路通過(guò)電路去抵消水晶振動(dòng)子的電阻RL從而達(dá)到振蕩的能力.但僅此一點(diǎn)并不可以達(dá)到穩(wěn)定的振蕩.由于啟動(dòng)時(shí)水晶振蕩子的電阻RL大于恒定的電阻值,因此單獨(dú)的RL對(duì)于負(fù)電阻電阻值是不夠的,為了防止啟動(dòng)時(shí)會(huì)有不良情況發(fā)生,因此,必須有足夠的余量來(lái)防止啟動(dòng)失敗并確保穩(wěn)定的振蕩啟動(dòng).
　　一個(gè)穩(wěn)定的振蕩回路,振蕩電路的負(fù)性阻抗NR必須大于晶振的負(fù)載電阻RL,有些廠商要求NR是負(fù)載電阻RL的3~5倍,有些廠商要求是5~10倍,一般認(rèn)為NR大于負(fù)載電阻RL的5倍是比較保險(xiǎn)的,也是通用的準(zhǔn)則.例如,晶振的負(fù)載電阻RL阻抗為40Ω,則振蕩電路的負(fù)性阻抗的絕對(duì)值必須在200Ω以上,才能形成穩(wěn)定的振蕩回路,無(wú)論是石英晶體還是有源晶振系列都是一樣的道理.

　　當(dāng)晶體單元作為振蕩電路中的感性電抗被致動(dòng)時(shí),晶體單元與振蕩電路之間的關(guān)系如圖E所示.為改善振蕩電路的啟動(dòng)條件,可以增加晶振的值.負(fù)電阻-R-振蕩電路的參數(shù).如果將負(fù)電阻裕度較小(負(fù)電阻較小)的電路與諧振電阻較大的晶體單元組合,則啟動(dòng)條件將變得更糟.振蕩電路的設(shè)計(jì)目標(biāo)應(yīng)為負(fù)電阻值是諧振電阻的5至10倍.
　　還必須在振蕩電路中將負(fù)載電容的中心值(確定振蕩頻率的絕對(duì)值)和可變范圍(振蕩頻率的微調(diào)范圍)保持在最佳值.
　　負(fù)電阻的測(cè)量步驟主要有以下幾個(gè)方面;首先是如圖E所示,在使用的主電路中打開(kāi)晶振單元的任一端,并在晶振單元中串聯(lián)一個(gè)可變電阻器.然后我們需要做的是更改電阻值以檢查當(dāng)時(shí)觀察到的振蕩極限和以歐姆為單位的電阻.在這種情況下,必須可靠地打開(kāi)和關(guān)閉電源電路.最后將上述得到的電阻值與晶振電路的諧振電阻R1相加就能夠得到負(fù)電阻的值了,不過(guò)值得注意的是,以上的測(cè)量步驟必須要在振蕩頻率的上限和下限進(jìn)行.

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